半導(dǎo)體
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2022-2028年中國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)狀及投資決策建議報(bào)告
《2022-2028年中國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)狀及投資決策建議報(bào)告 》共十四章,包含2022-2028年半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn),半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)投資戰(zhàn)略研究,研究結(jié)論及投資建議等內(nèi)容。
半導(dǎo)體行業(yè):終端需求放緩 行業(yè)供需格局出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性變化
2022年一季度 由于終端消費(fèi)電子市場(chǎng)的下滑,使得上游半導(dǎo)體的訂單也有所減少,手機(jī)、PC、汽車等市場(chǎng)目前持續(xù)下滑,預(yù)計(jì)二季度下游市場(chǎng)難以反彈。產(chǎn)品分類中存儲(chǔ)器、邏輯、模擬和微處理器需求依然占比較大,不過(guò)近兩年模擬芯片和MCU 增幅較大。
2022-2028年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研及發(fā)展策略分析報(bào)告
《2022-2028年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研及發(fā)展策略分析報(bào)告》共十五章,包含中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)發(fā)展?jié)摿υu(píng)估及市場(chǎng)前景預(yù)判,中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)投資特性及投資機(jī)會(huì)分析,中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)投資策略與可持續(xù)發(fā)展建議等內(nèi)容。
2021年中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析:國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底的發(fā)展任重道遠(yuǎn) [圖]
寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度在 2.3eV 及以上的半導(dǎo)體材料,屬于第三代半導(dǎo)體,能有效彌補(bǔ)傳統(tǒng)一、二代半導(dǎo)體材料在高溫、高頻等領(lǐng)域的不足,適應(yīng)半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的需要??蓱?yīng)用于5G通信、光伏發(fā)電、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。
2022年1月中國(guó)制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的機(jī)器及裝置進(jìn)口數(shù)量和進(jìn)口金額分別為0.13萬(wàn)臺(tái)和17.57億美元
2022年1月中國(guó)制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的機(jī)器及裝置進(jìn)口數(shù)量為0.13萬(wàn)臺(tái),同比增長(zhǎng)10.2%,進(jìn)口金額為17.57億美元,同比增長(zhǎng)14.6%。
2021年江蘇省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運(yùn)行分析:集成電路銷售額為2758.09億元,同比增長(zhǎng)25.34% [圖]
2021年度,江蘇省集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三業(yè)銷售收入合計(jì)為2758.09億元,同比增長(zhǎng)25.34%。其中,集成電路設(shè)計(jì)業(yè)銷售收入同比增長(zhǎng)40.58%;集成電路晶圓業(yè)銷售收入同比增長(zhǎng)34.59%;集成電路封測(cè)業(yè)銷售收入同比增長(zhǎng)16.82%;分立器件銷售收入同比增長(zhǎng)26.1%。
科研團(tuán)隊(duì)開發(fā)出能使晶面平坦度達(dá)原子水平的新型研磨技術(shù)
東京大學(xué)研究人員通過(guò)一邊澆水一邊用丙烯酸板研磨硅基板,成功達(dá)到了原子水平的平坦度。整個(gè)過(guò)程不使用藥液和拋光磨粒,硅基板表面粗糙度實(shí)現(xiàn)僅0.037納米,加工成本僅水費(fèi)和電費(fèi)。相關(guān)論文發(fā)表在《Applied Physics Letters》上。
半導(dǎo)體行業(yè):臺(tái)灣大范圍無(wú)預(yù)警停電 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈不確定性再度提升
晶圓代工廠電力消耗巨大,中國(guó)臺(tái)灣是全球晶圓代工重鎮(zhèn),頻繁停電加大全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈不確定性。晶圓廠是電力消耗大戶,在7nm 晶圓代工生產(chǎn)線上,單臺(tái)EUV 的日耗電量達(dá)到3 萬(wàn)度,單個(gè)3nm 晶圓廠的年耗電量理論上可達(dá)70 億度。
科研團(tuán)隊(duì)開發(fā)出高精度硅基半導(dǎo)體量子點(diǎn)
日本理化學(xué)研究所的國(guó)際研究小組利用硅基半導(dǎo)體制作的量子點(diǎn)成功實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算機(jī)所需的操作精度,克服了量子計(jì)算機(jī)實(shí)用化開發(fā)的一大技術(shù)難題。該成果發(fā)表在《自然》上。
科研團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)激子常溫下操控
密歇根大學(xué)最新研究發(fā)現(xiàn),在半導(dǎo)體中形成的準(zhǔn)粒子可以實(shí)現(xiàn)在室溫下移動(dòng)。這一發(fā)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)快速降溫實(shí)現(xiàn)更快的速度和更高的效率,并為led和太陽(yáng)能電池板更高效工作提供了可能。該研究成果發(fā)表在近期《自然·光子學(xué)》雜志上。