紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3D NAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求，這也是中國(guó)首款64層三維閃存芯片，將使中國(guó)與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)，被視為中國(guó)打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)。
據(jù)香港《大公報(bào)》近日?qǐng)?bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)消息，上海中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)舉行前夕，公司宣布已開(kāi)始量產(chǎn)基于XtackingR架構(gòu)的64層“三階儲(chǔ)存單元”3D NAND閃存。作為中國(guó)首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相博覽會(huì)紫光集團(tuán)展臺(tái)。
所謂3D NAND是通過(guò)將原本平鋪的儲(chǔ)存單元堆疊起來(lái)，形成多層結(jié)構(gòu)提供容量，使原本只有1層的儲(chǔ)存單元堆疊成64層或更多層。
報(bào)道指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高存儲(chǔ)密度。創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統(tǒng)三維閃存架構(gòu)可帶來(lái)更快的傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)相關(guān)負(fù)責(zé)人向《大公報(bào)》表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，將使中國(guó)與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)。
數(shù)據(jù)顯示，消費(fèi)類、數(shù)據(jù)中心以及行業(yè)應(yīng)用需求持續(xù)增加，中國(guó)閃存市場(chǎng)China Flash Market數(shù)據(jù)，2018年全球SSD的出貨量達(dá)到2.05億臺(tái)，相較于2017年增長(zhǎng)31%。其中企業(yè)級(jí)市場(chǎng)SSD出貨量達(dá)到2900萬(wàn)臺(tái)，消費(fèi)類SSD市場(chǎng)出貨量達(dá)1.76億臺(tái)，價(jià)格下滑正刺激市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)。
2018年一線大廠對(duì)PC臺(tái)式機(jī)趨向于SSD+HDD混搭配置提高性能，筆記本對(duì)SSD搭載率更高，且PCIe SSD比重持續(xù)增加，再加上主控廠Marvell、慧榮、群聯(lián)SSD控制芯片全面支持PCIe，得一微、聯(lián)蕓、點(diǎn)序、矽統(tǒng)等也加強(qiáng)對(duì)PCIe的支持，預(yù)計(jì)2019上半年SSD品牌廠建興、金士頓、江波龍、影馳等都將以PCIe SSD為市場(chǎng)主打產(chǎn)品，加快PCIe SSD成為市場(chǎng)的主角。
全球SSD出貨量增長(zhǎng)走勢(shì)
資料來(lái)源：智研咨詢整理
2018上半年Flash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層/72層3D TLC NAND產(chǎn)出，下半年64層QLC（4bit）和96層TLC陸續(xù)上市，單顆Die均可達(dá)1Tb，使得2018全年NAND Flash供應(yīng)大幅度增加40%。然而2018年三星、蘋果智能型手機(jī)出貨不及預(yù)期，中國(guó)手機(jī)品牌廠容量升級(jí)遲緩，且部分出現(xiàn)銷量下滑的情況，再加上英特爾PC處理器在Q3旺季缺貨，北美數(shù)據(jù)中心在Q4訂單大幅縮減等影響，使得NAND Flash市場(chǎng)供過(guò)于求，消費(fèi)類NAND Flash價(jià)格大跌65%。
2018年NAND Flash行情反轉(zhuǎn)向下，到年底消費(fèi)類每GB價(jià)格更是跌破0.1美金，原廠不得不改變策略，紛紛減少Wafer產(chǎn)出，縮減2019年投資金額等平衡市場(chǎng)供需。但由于原廠96層3D NAND技術(shù)在2018下半年以及2019上半年量產(chǎn)，新3D NAND如期推進(jìn)，再加上蘋果下調(diào)iPhone訂單，原廠庫(kù)存壓力較大，NAND Flash市場(chǎng)或?qū)⑸涎莨?yīng)和需求的拉鋸戰(zhàn)。
2018年消費(fèi)類NAND Flash每GB價(jià)格走勢(shì)
資料來(lái)源：智研咨詢整理
存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈，三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入。2018年，64層、72層的3D NAND閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品，2019年開(kāi)始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品，到2020年，大廠們即將進(jìn)入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。
業(yè)界有關(guān)人士分析，長(zhǎng)江儲(chǔ)存發(fā)展迅速，但目前表態(tài)保守，其雖然未公布量產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計(jì)2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的水平。
據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國(guó)存儲(chǔ)芯片自產(chǎn)率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存量產(chǎn)消息別具意義。
業(yè)界預(yù)測(cè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快明年跳過(guò)96層直接進(jìn)入128層三維閃存，實(shí)現(xiàn)彎道超車。據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已推出Xtacking2.0規(guī)劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)的綜合性能、開(kāi)啟定制化NAND全新商業(yè)模式等，相關(guān)產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。
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