西班牙高等科學(xué)研究理事會(huì)參與的一項(xiàng)國際研究開發(fā)出一種半導(dǎo)體和超導(dǎo)體量子比特的混合架構(gòu)材料,為首次使用量子點(diǎn)系統(tǒng)以可控方式實(shí)現(xiàn)此類設(shè)計(jì)。這項(xiàng)成果被認(rèn)為是量子計(jì)算發(fā)展的關(guān)鍵一步,并發(fā)表在《自然-物理》雜志上。
為解決量子計(jì)算機(jī)的退相干問題(由于量子比特的亞原子粒子的機(jī)械振動(dòng)、溫度波動(dòng)或電磁擾動(dòng)引起),研究人員結(jié)合超導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn),設(shè)計(jì)出這項(xiàng)名為超導(dǎo)自旋量子位的新設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)使用納米結(jié)構(gòu),將半導(dǎo)體量子點(diǎn)耦合到兩個(gè)超導(dǎo)體中。這種混合系統(tǒng)的最大優(yōu)點(diǎn)是能夠在包含半導(dǎo)體量子位的電路中修改超電流的通道,從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)精確控制。
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2025-2031年中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場全景評(píng)估及投資前景研判報(bào)告
《2025-2031年中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場全景評(píng)估及投資前景研判報(bào)告》共九章,包含全球及中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝企業(yè)案例解析,中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)政策環(huán)境及發(fā)展?jié)摿Γ袊雽?dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)投資策略及規(guī)劃建議等內(nèi)容。



