科學家揭示量子電路中引起退相干的表面自旋的結(jié)構(gòu)和化學性質(zhì)

英國國家物理實驗室（NPL）科學家與物理化學專家合作，利用最先進的電子順磁共振（EPR）技術(shù)來研究與超導量子電路相關(guān)的材料特性，其結(jié)果發(fā)表在《科學進展》雜志上。

近年來，超導量子計算機的研究重點是容錯糾錯量子計算,但進展存在阻礙。這些障礙主要歸因于與量子比特相互作用的原子級材料缺陷。該團隊通過用強磁場EPR提供的固有高分辨率，結(jié)合核光譜技術(shù)來研究Al2O3（一種存在于所有現(xiàn)代超導量子處理器中的材料）上的特定表面自由基。研究揭示了自由基的復雜結(jié)構(gòu)，即一個電子耦合到Al2O3晶格中的多個Al原子以及許多單獨的氫原子核，這種表面缺陷的確切結(jié)構(gòu)和形成化學與超導量子電路中的退相干有關(guān)。

這項研究是量子電路材料領(lǐng)域的重要進展，第一個為識別化學和結(jié)構(gòu)上的缺陷提供了直接途徑。

注：本文摘自國外相關(guān)研究報道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點和立場，僅供參考。

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