全球及中國第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)未來發(fā)展規(guī)模及應(yīng)用領(lǐng)域分析：5G建設(shè)推動(dòng)GaN射頻高速增長[圖]

    一、發(fā)展過程及產(chǎn)業(yè)鏈

    第三代半導(dǎo)體材料主要包括SiC、GaN、金剛石等，因其禁帶寬度≥2.3電子伏特(eV)，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。在第三代半導(dǎo)體材料中，目前發(fā)展較為成熟的是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），這兩種材料是當(dāng)下規(guī)?；逃米钪饕倪x擇。

    與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、大功率及抗輻射器件，可廣泛應(yīng)用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領(lǐng)域，包括射頻通信、雷達(dá)、衛(wèi)星、電源管理、汽車電子、工業(yè)電力電子等。

第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展過程及主要應(yīng)用

資料來源：智研咨詢整理

    GaN和SiC芯片的產(chǎn)業(yè)鏈與硅芯片類似，主要分為晶圓襯底、外延、設(shè)計(jì)、制造和封裝等環(huán)節(jié)。

中國GaN芯片的產(chǎn)業(yè)鏈

資料來源：智研咨詢整理

中國SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈

資料來源：智研咨詢整理

    GaN器件主要包括射頻器件、電力電子功率器件、以及光電器件三類。GaN的商業(yè)化應(yīng)用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直接帶隙特性和光譜特性，相關(guān)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)發(fā)展的非常成熟。射頻器件和功率器件是發(fā)揮GaN寬禁帶半導(dǎo)體特性的主要應(yīng)用領(lǐng)域。SiC主要應(yīng)用于功率器件。SiC能大大降低功率轉(zhuǎn)換中的開關(guān)損耗，因此具有更好的能源轉(zhuǎn)換效率，更容易實(shí)現(xiàn)模塊的小型化，更耐高溫。

GaN、SiC的主要產(chǎn)品和應(yīng)用

資料來源：智研咨詢整理

    二、行業(yè)發(fā)展規(guī)模及應(yīng)用領(lǐng)域分析

    智研咨詢發(fā)布的《2021-2027年中國第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場運(yùn)營格局及未來前景展望報(bào)告》顯示：射頻器件是無線通訊設(shè)備的基礎(chǔ)性零部件，在無線通訊中負(fù)責(zé)電磁信號(hào)和數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換和接收與發(fā)送，GaN射頻器件在功率密度上的優(yōu)勢使得芯片體積大為縮??；5G基站會(huì)用到多發(fā)多收天線陣列方案，GaN射頻器件對(duì)于整個(gè)天線系統(tǒng)的功耗和尺寸都有巨大的改進(jìn)；在高功率，高頻率射頻應(yīng)用中，獲得更高的帶寬、更快的傳輸速率，以及更低的系統(tǒng)功耗。
根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，到2024年，預(yù)計(jì)全球GaN射頻市場規(guī)模將達(dá)20億美元，其中國防軍工領(lǐng)域仍為最大細(xì)分領(lǐng)域，無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)⑦_(dá)到7.5億美元。

2018-2024年全球GaN射頻市場規(guī)模（單位:億美元）

資料來源：Yole、智研咨詢整理

2018-2024年全球GaN射頻市場規(guī)模分布（單位:億美元）

資料來源：Yole、智研咨詢整理

    功率器件與前述射頻功率芯片有所區(qū)分。根據(jù)GaN和SiC所適用電壓的不同，兩者功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。GaN功率器件主要應(yīng)用領(lǐng)域：消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心電力系統(tǒng)、光伏逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、POL轉(zhuǎn)換器，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和D類大功率音頻放大器等。SiC功率器件主要應(yīng)用領(lǐng)域：智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、光伏、風(fēng)電。新能源汽車等應(yīng)用的快速發(fā)展推動(dòng)了GaN和SiC功率市場高速發(fā)展，預(yù)計(jì)2023年全球GaN功率器件市場規(guī)模將達(dá)到4.3億美元；2024年全球SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)到19.3億美元，其中新能源汽車應(yīng)用占比將達(dá)49%。

2018-2023年全球GaN功率市場規(guī)模

資料來源：Yole、睿獸、智研咨詢整理

2018-2024年全球SiC功率市場規(guī)模

資料來源：Yole、睿獸、智研咨詢整理

2018-2024年全球SiC功率市場規(guī)模分布

資料來源：Yole、睿獸、智研咨詢整理

    在國內(nèi)大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長乏力的大背景下，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)逆勢增長。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年我國SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻產(chǎn)值合計(jì)達(dá)到105.5億元，同比增長69.61%，其中：SiC、GaN電力電子產(chǎn)值44.7億元，GaN微波射頻產(chǎn)值60.8億元。

2016-2020年中國SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻產(chǎn)值情況

資料來源：CASA、智研咨詢整理

2016-2020年中國SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻產(chǎn)值情況

資料來源：CASA、智研咨詢整理

    目前，GaN主要應(yīng)用在射頻及快充領(lǐng)域。SiC重點(diǎn)應(yīng)用于新能源汽車和充電樁領(lǐng)域。我國作為全球最大的新能源汽車市場，第三代半導(dǎo)體器件在新能源汽車充電樁領(lǐng)域的滲透快于整車市場，占比達(dá)38%；消費(fèi)類電源（PFC)占22%；光伏逆變器占了15%；工業(yè)及商業(yè)電源、不間斷電源UPS、快充電源、工業(yè)電機(jī)分別占6%、3%、3%、1%。

2020年中國SiC、GaN電力電子器件下游應(yīng)用領(lǐng)域分布

（注：電網(wǎng)、風(fēng)力發(fā)電市場占比不足1%，未在圖中顯示)
資料來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、智研咨詢整理

    國防軍事與航天應(yīng)用是我國GaN微波射頻器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域，2020年市場規(guī)模占整個(gè)GaN射頻器件市場的53%;其次是無線基礎(chǔ)設(shè)施，下游市場占比為36%。

2020年中國GaN射頻器件下游應(yīng)用領(lǐng)域分布

資料來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、智研咨詢整理