絕緣柵雙極晶體管

2025年中國絕緣柵雙極晶體管行業(yè)產業(yè)鏈圖譜、發(fā)展歷程、發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局、重點企業(yè)以及發(fā)展趨勢研判：隨著下游領域快速發(fā)展，IGBT需求量將持續(xù)增長 [圖]

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。它將MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT的優(yōu)點集于一身，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優(yōu)點。