中微公司：業(yè)績(jī)穩(wěn)定增長(zhǎng) 半導(dǎo)體設(shè)備迎國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇

    事件：公司發(fā)布2019 年度報(bào)告，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收19.47 億元（同比+18.77%）；歸母凈利1.89 億元（同比+107.51%），扣非歸母凈利1.48 億元（同比+41.48%）。

    投資要點(diǎn)：

    業(yè)績(jī)穩(wěn)定增長(zhǎng)，2020 年以來中標(biāo)加速迎國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇1）2019 年在全球半導(dǎo)體設(shè)備及LED 設(shè)備不太景氣的背景下，公司仍實(shí)現(xiàn)近20%的收入增長(zhǎng)，我們認(rèn)為整體符合預(yù)期。分業(yè)務(wù)看，專用設(shè)備收入15.87 億元，同比+13.55%。備品備件收入3.38 億元，同比+49.23%，服務(wù)收入0.21 億元，同比+44.21%。

    2）公司凈利潤(rùn)增長(zhǎng)108%，顯著高于收入增長(zhǎng)的19%，主要原因?yàn)?018年計(jì)入非經(jīng)常性損益的股份支付費(fèi)用達(dá)1.02 億元，本期無該類費(fèi)用，且19 年研發(fā)費(fèi)用加計(jì)扣除增加等因素導(dǎo)致本期所得稅費(fèi)用減少。

    3）根據(jù)中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)，2020 年以來公司先后中標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)9 臺(tái)刻蝕設(shè)備（累計(jì)市占率達(dá)17%），華力集成2 臺(tái)刻蝕設(shè)備（累計(jì)市占率達(dá)13%），華虹半導(dǎo)體3 臺(tái)設(shè)備（累計(jì)市占率達(dá)21%），下游晶圓廠的招投標(biāo)加速將為公司帶來國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇。

    毛利率維持平穩(wěn)，期間費(fèi)用控制良好

    1）2019 年主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率34.93%，同比-0.57pct，整體基本維持穩(wěn)定。

    2）2019 年凈利率9.71%，同比+4.15pct；若扣除非經(jīng)常性損益影響，2019 年凈利率同比+1.2pct。期間費(fèi)用率為27.7%，同比-1.4pct，整體費(fèi)用控制良好，研發(fā)費(fèi)用率達(dá)12%，同比+4.8pct。

    研發(fā)投入持續(xù)加大，新設(shè)備開發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)

    2019 年公司研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入達(dá)4.25 億元，占營(yíng)業(yè)收入比例的22%；研發(fā)人員數(shù)量為276 人，同比增長(zhǎng)15%，占公司員工總?cè)藬?shù)的比例為38%。

    報(bào)告期內(nèi)公司產(chǎn)品研發(fā)持續(xù)推進(jìn)，獲得較多進(jìn)展：

    1）邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)：公司刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶65nm到7nm 的芯片生產(chǎn)線上；同時(shí)已開發(fā)出5nm 刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶的批量訂單。

    2）3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)：公司CCP 刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64 層的量產(chǎn)，同時(shí)正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128 層關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對(duì)應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。

    3）ICP 刻蝕設(shè)備：已經(jīng)在多個(gè)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，并在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足7 納米以下的邏輯芯片、1X 納米的DRAM 芯片和128 層以上的3D NAND 芯片等產(chǎn)品的ICP 刻蝕需求，并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP 刻蝕設(shè)備的研發(fā)。

    本土晶圓廠密集招標(biāo)提供國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇，下游工藝升級(jí)帶來更多設(shè)備空間1）2020 年以來長(zhǎng)江存儲(chǔ)招標(biāo)加速，自主研發(fā)的64 層3D NAND 目前產(chǎn)能規(guī)模約為2 萬片/月 ，預(yù)計(jì)至2020 年底前產(chǎn)能超過5 萬片/月，2021年完成10 萬片/月的目標(biāo)；此外華力集成也在3 月份以來開啟了密集招標(biāo)；中微均在其中占據(jù)較高份額。我們認(rèn)為下游晶圓廠密集招標(biāo)將為公司帶來國(guó)產(chǎn)化大機(jī)遇。

    2）隨著3D NAND 層數(shù)增加和集成電路線寬不斷縮小，制造環(huán)節(jié)要求重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序步驟，意味著單條產(chǎn)線所需刻蝕設(shè)備增加，催生更多的刻蝕設(shè)備需求。同時(shí)由于邏輯器件和存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)變化，市場(chǎng)對(duì)ICP 刻蝕工藝的需求迅速增長(zhǎng)。公司已覆蓋3D NAND 中2/3的介質(zhì)刻蝕工藝，目前公司ICP 設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn)，有望進(jìn)一步提升刻蝕工藝覆蓋廣度，提高刻蝕業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力。